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金属钨纳米线阵列的制备

高程贺跃辉王世良

材料研究学报

用气相方法在较低的温度(900℃)下在单晶硅基片表面制备出金属钨的单晶纳米线阵列, 用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)和X--ray衍射(XRD)等手段对其进行了分析和表征.结果表明: 在900℃制备的阵列单晶钨纳米线沿<111>方向生长,具有bcc结构, 直径约为150 nm, 长度为10--30 μm.

关键词: 金属材料 , metallic tungsten , single-crystal , nanowire , array

CaCO₃纳米线的制备及表征

韩志华 , 曹林

无机材料学报

以碳酸钙(CaCO₃)为原料利用溶胶-凝胶法与热分解法合成了CaCO₃纳米线,纳米线的制备分为两个步骤,首先利用溶胶-凝胶法合成线状含Ca中间体,这种含Ca中间体是一维线状纳米结构;然后通过含Ca中间体热分解制得CaCO₃纳米线,直径为50-80nm,长度达5μm以上,所得CaCO₃纳米线为三方晶系,由纳米晶粒组装而成.

关键词: CaCO₃ , nanowire , sol-gel process , thermal decomposition

微波加热合成SiC纳米线的研究

卢斌 , 刘吉轩 , 朱华伟 , 焦羡贺

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2007.01135

采用单质Si粉和酚醛树脂为原料、均混、成型、碳化, 并以10℃/min的升温速率在1300～1400℃/0.5～2h的微波加热条件下制备了SiC纳米线. 用SEM和TEM观察所得SiC纳米线形貌, EDX检测样品成分. 结果发现: 所制备的SiC纳米线具有典型的SiC/SiO₂芯－壳式缆状结构特征, 直径约为20～100nm. 分析认为, 在微波加热条件下, 液态Si在SiC纳米线生长过程中起着至关重要的作用, 既具有催化作用, 同时又是制备SiC纳米线的关键原料.

关键词: SiC , nanowire , phenol formaldehyde resin , microwave heating

MBE法生长ZnO纳米线阵列的结构和光学性能

郑志远 , 陈铁锌 , 曹亮 , 韩玉岩 , 徐法强

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2012.00301

在氧等离子体辅助的MBE系统中, 以1 nm厚的Au薄膜为催化剂, 基于气?液?固(VLS)机制实现了低温ZnO纳米线阵列在Si(111)衬底表面的生长. 通过场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)可以观察到, ZnO纳米线阵列垂直生长在衬底上, 直径为20~30 nm. X射线衍射(XRD)和高分辨透射电镜(HRTEM)结果表明: ZnO纳米线为六方纤锌矿结构, 具有沿c轴方向的择优取向. 光致发光(PL)谱显示在380 nm附近有强烈ZnO本征发射峰, 475~650 nm可见光区域有较强的缺陷导致的发射峰.

关键词: ZnO , nanowire , MBE , VLS

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